采用氮族元素聚合物半导体的薄膜场效应晶体管

摘要

薄膜场效应管用MPX做开关半导体，M是至少一种碱金属，P是至少一种氮族元素，X从15到无穷。公开的金属绝缘半导体和金属半导体场效应管中半导体可掺0.5％的镍、铁或铭而不增加导电率也可掺杂0.5-1％以增加导电率。源与漏极下的区域掺杂2-3％以提供良好电接触。绝缘层最好用P