一种晶圆级器件集成方法及集成结构

摘要

本发明提供了一种晶圆级器件集成方法及集成结构，所述方法包括：将多个待集成元件间隔键合于承载部上，形成塑封层覆盖承载部与待集成元件，去除承载部，将塑封层远离待集成元件的一面与第一基底进行键合，形成第一布线层覆盖第一基底且与待集成元件连接，将第一基底与第二基底进行键合，在第二基底上形成多个第一通孔与多个第二通孔，第一通孔暴露出器件结构，第二通孔暴露出第一布线层，形成第二布线层，第二布线层通过第一通孔和第二通孔分别与器件结构和第一布线层连接，以使待集成元件与器件结构在垂直于第二基底的方向上互连，实现了3D集成，从而能够大幅减小形成的集成结构的面积、降低制造成本、优化集成结构的性能。