在源极区和漏极区之间包括第一和第二半导体材料的晶体管及其制造方法

摘要

公开了用于在源极区和漏极区之间包括第一半导体材料和第二半导体材料的晶体管的方法、装置、系统和制造品。示例性装置包括晶体管，该晶体管包括：包括镓和氮的第一半导体材料和包括镓和氧的第二半导体材料，其中，第二半导体材料与第一半导体材料相邻。所公开的示例性装置还包括靠近第一半导体材料并且与第二半导体材料间隔开的源极以及靠近第二半导体材料并且与第一半导体材料间隔开的漏极。所公开的示例性装置还包括位于源极和漏极之间的栅极。