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一种基于钙钛矿单晶薄片的垂直结构光敏场效应晶体管

摘要

本发明提供了一种基于钙钛矿单晶薄片的垂直结构光敏场效应晶体管,包括底部栅极层、底栅绝缘层、源极层、光敏层,漏极层和光源,顶部和底部分别为底部栅极层、漏极层,底栅绝缘层位于底部栅极层与源极层之间,光敏体层位于漏极层与源极层之间;光敏层为钙钛矿单晶薄片,厚度等于导电沟道的长度;光敏层受到光源照射吸收光子能量,使得光敏层材料形成激子。本发明的光敏场效应晶体管克服了钙钛矿晶界所造成的负面影响,从而有效的提高了电荷传输,并且这种垂直结构的器件减小了导电沟道长度,极大的提高了器件的工作电流并降低了器件的阈值电压,激子可以被源极和漏极有效地分离和收集,从而实现了高效的光电转换和快速的光响应。

著录项

  • 公开/公告号CN111509126A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2020-08-07

    原文格式PDF

  • 申请/专利号CN201910656234.4

  • 发明设计人 邹雨婷;于伟利;于治;郭春雷;

    申请日2019-07-19

  • 分类号H01L51/05(20060101);

  • 代理机构44316 深圳市科进知识产权代理事务所(普通合伙);

  • 代理人曹卫良

  • 地址 130033 吉林省长春市经济技术开发区东南湖大路3888号

  • 入库时间 2023-12-17 11:49:32

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2020-08-07

    公开

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