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一种RRAM器件及形成RRAM器件的方法

摘要

本发明公开一种RRAM器件及形成RRAM器件的方法。RRAM器件包括:下金属互联层,被超低介电常数材料围绕;底部电极,设置在所述下金属互联层上方并被PEOX层围绕;金属蓄氧层,覆盖所述底部电极;绝缘层,设置在所述金属蓄氧层上方,其中,所述金属蓄氧层的两侧与所述绝缘层的两侧对齐;阻变层,设置在所述金属蓄氧层的侧边并覆盖所述金属蓄氧层的侧边,所述阻变层具有可变电阻;顶部电极,覆盖所述阻变层;上通孔,设置在所述顶部电极上方。

著录项

  • 公开/公告号CN111584711A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2020-08-25

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 厦门半导体工业技术研发有限公司;

    申请/专利号CN202010358958.3

  • 申请日2020-04-29

  • 分类号H01L45/00(20060101);

  • 代理机构11734 北京乐知新创知识产权代理事务所(普通合伙);

  • 代理人周伟

  • 地址 361008 福建省厦门市软件园三期诚毅北大街62号109单元0206号

  • 入库时间 2023-12-17 11:45:16

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2020-08-25

    公开

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