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公开/公告号CN111584711A
专利类型发明专利
公开/公告日2020-08-25
原文格式PDF
申请/专利权人 厦门半导体工业技术研发有限公司;
申请/专利号CN202010358958.3
发明设计人 刘宇;沈鼎瀛;康赐俊;邱泰玮;王丹云;
申请日2020-04-29
分类号H01L45/00(20060101);
代理机构11734 北京乐知新创知识产权代理事务所(普通合伙);
代理人周伟
地址 361008 福建省厦门市软件园三期诚毅北大街62号109单元0206号
入库时间 2023-12-17 11:45:16
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2020-08-25
公开
机译: 非易失性存储器件,RRAM器件以及用于制造具有氧化镁绝缘体层的RRAM器件的方法
机译: 金属-绝缘体-半导体(MIS)电阻随机存取存储器(RRAM)(MIS RRAM)器件和MIS RRAM位单元电路,以及相关的制造方法
机译: RRAM器件中的灯丝定位,边缘效应降低以及形成/开关电压降低的技术
机译:用于存储器应用的氧化物RRAM器件的多尺度建模:从材料特性到器件性能
机译:通过嵌入的Pt和Ta纳米晶体调节形成基于TiO_(2-x)的基于TiO_(2-x)的RRAM器件的电阻,电容和突触特性
机译:了解基于HfOx的RRAM器件上的开关氧化物缺陷形成和恢复
机译:形成自由Ti / TiO2-x RRAM器件的多级电阻切换实验与仿真
机译:用于存储应用的基于丝的电阻开关RRAM器件
机译:铜掺杂对基于La的RRAM器件性能的影响
机译:采用低温改善方法的氧化钕RRam器件的双极开关特性
机译:衬底和浓度对CuInse2pV器件器件性能,结形成和薄膜微结构的影响