公开/公告号CN111540710A
专利类型发明专利
公开/公告日2020-08-14
原文格式PDF
申请/专利权人 中国科学院上海微系统与信息技术研究所;
申请/专利号CN202010393159.X
申请日2020-05-11
分类号H01L21/78(20060101);H01L21/67(20060101);H01L23/373(20060101);H01L21/335(20060101);
代理机构31002 上海智信专利代理有限公司;
代理人宋丽荣
地址 200050 上海市长宁区长宁路865号
入库时间 2023-12-17 11:36:58
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2020-08-14
公开
公开
机译: 功率放大器中使用的场效应晶体管由双重异质结构组成,该异质结构由氮化镓制成的沟道层,覆盖层和带隙比氮化镓高的背面势垒层组成
机译: 基于氮化镓和氮化铝镓半导体异质结构的高功率器件
机译: 具有自偏压功能的高功率氮化镓HEMT晶体管结构使用氮化铝