半导体器件制备中低表面损伤的两步干法刻蚀方法

摘要

本发明公开了一种半导体器件制备中低表面损伤的两步干法刻蚀方法，其步骤包括：(1)器件表面清洁；(2)高速的纵向ICP干法刻蚀；(3)低速的纵向ICP干法刻蚀；其特征在于：步骤(2)中的RF功率在步骤(3)中RF功率的200％以上，步骤(3)中的ICP功率在步骤(2)中ICP功率的200％以上。本发明通过先后采用两套不同的刻蚀功率，实现两步刻蚀，机理主要是在ICP刻蚀接近器件设计深度时，将主要刻蚀机制从离子轰击效应更换为表面离子化学反应，依靠小动能的表面化学反应，完成最后的刻蚀结构，从而将表面刻蚀损伤降低到最小范围。