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薄膜制造装置及使用神经网络的薄膜制造装置

摘要

提供一种能够形成均匀性高的薄膜的薄膜制造装置。提供一种能够控制薄膜形成中的各种设定条件的薄膜制造装置。在包括处理室、气体供应单元、排气单元、电力供应单元、运算部及控制装置的薄膜制造装置中,气体供应单元对处理室内供应气体,排气单元调整处理室内的压力,电力供应单元对设置在处理室内的电极间施加电压,运算部具有在薄膜形成中使用神经网络进行异常状态的检测及推论的功能,控制装置在薄膜形成中根据检测及推论的结果控制各种设定条件。

著录项

  • 公开/公告号CN111479952A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2020-07-31

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 株式会社半导体能源研究所;

    申请/专利号CN201880081225.0

  • 发明设计人 栗城和贵;手冢祐朗;丰高耕平;

    申请日2018-12-18

  • 分类号C23C16/52(20060101);C23C14/54(20060101);G06N3/02(20060101);G06N20/00(20060101);H01L21/02(20060101);H01L21/31(20060101);H05H1/46(20060101);

  • 代理机构11038 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所;

  • 代理人刘倜

  • 地址 日本神奈川

  • 入库时间 2023-12-17 11:28:35

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2020-07-31

    公开

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