公开/公告号CN111479952A
专利类型发明专利
公开/公告日2020-07-31
原文格式PDF
申请/专利权人 株式会社半导体能源研究所;
申请/专利号CN201880081225.0
申请日2018-12-18
分类号C23C16/52(20060101);C23C14/54(20060101);G06N3/02(20060101);G06N20/00(20060101);H01L21/02(20060101);H01L21/31(20060101);H05H1/46(20060101);
代理机构11038 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所;
代理人刘倜
地址 日本神奈川
入库时间 2023-12-17 11:28:35
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2020-07-31
公开
公开
机译: 薄膜制造装置和使用神经网络的薄膜制造装置
机译: 基于硅的薄膜制造装置,配备有该薄膜制造装置的光电转换装置,基于硅的薄膜制造方法和使用该制造装置的光电转换装置制造方法
机译: 薄膜制造装置,使用该薄膜制造装置的多层薄膜装置以及薄膜制造方法