公开/公告号CN111538106A
专利类型发明专利
公开/公告日2020-08-14
原文格式PDF
申请/专利权人 山东省物化探勘查院;山东省水下考古研究中心;
申请/专利号CN202010583896.6
申请日2020-06-24
分类号G01V11/00(20060101);G01V3/08(20060101);
代理机构37219 济南金迪知识产权代理有限公司;
代理人王楠
地址 250013 山东省济南市历下区历山路56号
入库时间 2023-12-17 11:28:35
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2020-08-14
公开
公开
机译: 在半导体晶片中形成超浅结的方法,该超浅结具有从气体前体沉积的硅层以减少水杨酸化过程中的硅消耗
机译: 退火方法,超浅结层形成方法和超浅结层形成装置
机译: 适用于中低压电源管理应用的浅沟道CMOS兼容超结器件结构