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公开/公告号CN111489864A
专利类型发明专利
公开/公告日2020-08-04
原文格式PDF
申请/专利权人 浙江工业大学;
申请/专利号CN202010083076.0
发明设计人 潘军;吴泽磊;叶萃;
申请日2020-02-07
分类号H01B13/00(20060101);H01B13/30(20060101);
代理机构33201 杭州天正专利事务所有限公司;
代理人黄美娟;俞慧
地址 310014 浙江省杭州市下城区潮王路18号
入库时间 2023-12-17 11:24:22
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2020-08-28
实质审查的生效 IPC(主分类):H01B13/00 申请日:20200207
实质审查的生效
2020-08-04
公开
机译: 图案化银纳米线薄膜的制造方法,触摸屏及其制造方法
机译: 图案化氧化石墨烯薄膜的装置,图案化氧化石墨烯薄膜的方法以及使用相同的方法制造的氧化石墨烯薄膜的装置
机译: 用于银纳米线透明导电材料的图案化方法和传感器
机译:图案化的透明电极,具有通过无蚀刻图案化方法生产的银纳米线的连续分布
机译:化学纳米图案化基材上二嵌段共聚物薄膜的有序化机理和动力学
机译:激光图案化工艺中银纳米线薄膜光学性能变化
机译:基于银纳米线的高敏感电容触觉传感器使用聚乙烯-C模板图案化方法
机译:绿色化学和机械方面的固态合成银纳米线,影响纳米胎生长和等离子体研究的Au薄膜/ MOS2表面增强拉曼光谱法
机译:通过无蚀刻图案化方法生产的具有连续分布的银纳米线的图案化透明电极
机译:使用干转移技术在刚性和柔性基板上形成渗流性银纳米线网络的均匀,高导电性和图案化的透明薄膜
机译:用于光学图案化聚合物薄膜的选择性改性的方法和材料。