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一种基于绝缘体上材料的马赫-曾德型电光调制器及其制备方法

摘要

本发明公开了一种基于绝缘体上材料的马赫-曾德型电光调制器,属于集成光学领域。本发明公开的电光调制器结构包括:绝缘体上材料、调制电极和光波导;所述绝缘体上材料包括自下而上依次层叠的衬底层、键合层和薄膜层;调制电极贯穿薄膜层设置在键合层上表面,并与键合层相接触;调制电极为行波电极或集总电极,包括信号电极和地电极;信号电极与地电极之间设有光波导,光波导制作于薄膜层;调制电极与光波导之间的间距>0。相较于现有技术,本发明提供的一种基于绝缘体上材料的马赫-曾德型电光调制器降低了电容及工艺制作的复杂性,同时增强了电光调制效率,实现了宽带高速调制。

著录项

  • 公开/公告号CN111522153A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2020-08-11

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 电子科技大学;

    申请/专利号CN202010335722.8

  • 申请日2020-04-25

  • 分类号G02F1/035(20060101);G02F1/03(20060101);G02F1/225(20060101);

  • 代理机构51203 电子科技大学专利中心;

  • 代理人闫树平

  • 地址 611731 四川省成都市高新区(西区)西源大道2006号

  • 入库时间 2023-12-17 11:20:09

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2020-08-11

    公开

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