法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2020-06-02
实质审查的生效 IPC(主分类):H01L21/762 申请日:20191030
实质审查的生效
2020-05-08
公开
公开
机译: 半导体结构绝缘体上硅结构,形成方法,涉及在去除掩模之前/期间以受控方式在半导体衬底中形成直至掩模下表面水平的绝缘区。
机译: 在绝缘子上制作应变晶体层的方法,其半导体结构以及由此制成的半导体结构,以便在绝缘子上轻松生长应变硅层
机译: 制造包括硅的团簇和/或纳米晶以及这种类型的半导体结构的半导体结构的方法