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硅晶绝缘体结构、半导体结构以及形成半导体结构的方法

摘要

本公开的一些实施例提供沟槽隔离的结构以及方法。在一些实施例中,公开一种硅晶绝缘体结构。硅晶绝缘体结构包括一基板、一介电层以及一多晶硅区域。基板包括一处理层、一绝缘层、一埋入层以及一沟槽。绝缘层是布设在处理层之上。埋入层是布设在绝缘层之上。沟槽是从埋入层的一上表面向下延伸,并在处理层中终止。介电层是位于沟槽的一底表面上,并接触处理层。多晶硅区域是位于沟槽中,并接触介电层。

著录项

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2020-06-02

    实质审查的生效 IPC(主分类):H01L21/762 申请日:20191030

    实质审查的生效

  • 2020-05-08

    公开

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