一种低温掺杂、高光致发光量子产率的钙钛矿薄膜及其制备方法

摘要

本发明涉及一种低温掺杂、高光致发光量子产率的钙钛矿薄膜及其制备方法。本发明采用低温前驱液金属镧离子掺杂，无需高温注入和绝缘配体辅助结晶即可得到高荧光量子产率钙钛矿薄膜。对于带隙不同的钙钛矿，都可以进行金属镧离子掺杂，在365nm激光激发下基本可以得到红绿蓝三原色荧光发射。所述的方法在相对低温环境下，通过温度梯度退火和溶剂氛围退火，制备的钙钛矿晶体质量更高，缺陷更少，非辐射复合路径被有效抑制。所制备的钙钛矿薄膜在半导体发光领域具有良好的应用前景，其高效、简单的制备方法对于钙钛矿材料的商业化应用具有极大的潜力。