一种少数载流子寿命的纵向分布测试系统和方法

摘要

本发明公开了一种少数载流子寿命的纵向分布的测试系统和方法。该方法至少包括：照射激发部11，包含用于照射样品产生光致载流子的不同波长的光源14和产生对半导体材料照射的微波产生器15；经过加工的待测样品12；检测部13，用于检测穿透半导体材料的微波强度，检测部根据检测到的微波信号强度，转换为电信号，计算出样品材料的少数载流子寿命。为了实现少数载流子寿命的纵向分布的测试，待检测样品12需要进行特别处理，通过表面加工处理成梯形，依据上表面斜率计算得出不同测试点处对应的深度的少数载流子寿命，从而得出SiC厚外延少数载流子寿命的纵向分布。