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带有五阶梯型量子阱和倒V型电子阻挡层的发光二极管

摘要

本发明公开了一种带有五阶梯型量子阱和倒V型电子阻挡层的发光二极管,包括蓝宝石衬底,蓝宝石衬底顶端自下而上依次生长有n‑Al

著录项

  • 公开/公告号CN111477730A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2020-07-31

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 海南师范大学;

    申请/专利号CN202010480172.9

  • 申请日2020-05-30

  • 分类号

  • 代理机构北京慕达星云知识产权代理事务所(特殊普通合伙);

  • 代理人曹鹏飞

  • 地址 571158 海南省海口市龙昆南路99号

  • 入库时间 2023-12-17 11:15:55

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2020-08-25

    实质审查的生效 IPC(主分类):H01L33/06 申请日:20200530

    实质审查的生效

  • 2020-07-31

    公开

    公开

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