一种碳化硅单晶生长用高纯碳化硅粉体的制备方法

摘要

本发明涉及一种碳化硅单晶生长用高纯碳化硅粉体的制备方法，其以CH4作为气相碳源，高纯度的SiO2粉体为固相硅源。在真空下，重新注入气相碳源，碳源均匀分布在固体硅源当中；避免了不必要的污染，提高了碳化硅纯度。而且利用气相／固相的合成SiC粉料，气相原料的杂质并不会留在SiC成品料中。过量的Ｃ源参于合成，可以确保所有Si源的转换，多余的Ｃ都是来自CH4，本身不存在杂质，同时在干静与高温条件下，通O2气体氧化残留的C成气体CO2，就可轻易的把C从粉体中分离出来。而且原料易取得，且成本相对低。所以，本发明制备成本低，且制备得到的碳化硅粉体纯度高。