一种晶圆控片的快速热处理方法

摘要

本发明公开了一种晶圆控片的快速热处理方法，涉及半导体器件制造技术领域。本方法至少包括以下步骤：提供第一晶圆控片；对所述第一晶圆控片进行第一次快速热处理；对经过第一次快速热处理后的所述第一晶圆控片进行第二次快速热处理，以取得第一电阻值趋势曲线；依据所述第一电阻值趋势曲线，取得所述预设电阻值趋势曲线；依据所述第一电阻值趋势曲线及预设电阻值趋势曲线，取得所述第一晶圆控片的标准快速热处理温度条件。本发明通过对晶圆控片进行两阶段的快速热处理，解决了现有技术所导致的晶圆控片表面边缘区域的电阻值再现性差、晶圆控片表面电阻值偏离目标值的问题。