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一种制作静电放电保护器件的方法及静电放电保护器件

摘要

本发明提供了一种制作静电放电保护器件的方法及静电放电保护器件,包括:在半导体衬底的正面外延生长半导体外延层;在半导体外延层内通过预设工艺流程同时形成第一阱区以及第二阱区并进行高温退火;在第一阱区及第三阱区内通过预设工艺流程分别形成第一掺杂区和第二掺杂区并进行高温退火;在退火后形成的层间介质层上,通过预设工艺流程形成掺杂区接触孔;在掺杂区接触孔溅射金属形成第一电极以及第二电极;通过塑封芯片级封装工艺,在第一电极及第二电极上方分别形成第一金属柱和第二金属柱,以及,在第一金属柱及第二金属柱上方分别形成第一金属凸点和第二金属凸点;减薄半导体衬底的背面、塑封形成六面包封。可以提高浪涌保护能力。

著录项

  • 公开/公告号CN111430305A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2020-07-17

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 捷捷半导体有限公司;

    申请/专利号CN202010385238.6

  • 发明设计人 庄翔;张超;

    申请日2020-05-09

  • 分类号

  • 代理机构北京超凡宏宇专利代理事务所(特殊普通合伙);

  • 代理人刘亚飞

  • 地址 226000 江苏省南通市崇川区苏通科技产业园区井冈山路6号

  • 入库时间 2023-12-17 11:03:07

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2020-08-11

    实质审查的生效 IPC(主分类):H01L21/8222 申请日:20200509

    实质审查的生效

  • 2020-07-17

    公开

    公开

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