法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2020-08-04
实质审查的生效 IPC(主分类):H01L41/253 申请日:20200320
实质审查的生效
2020-07-10
公开
公开
机译: 单晶碳化硅衬底的表面改性方法,单晶碳化硅薄膜的形成方法,单晶碳化硅衬底和离子注入退火方法,单晶碳化硅半导体衬底
机译: 单晶碳化硅衬底的表面重整方法,单晶碳化硅薄膜的形成方法,离子注入和退火方法,以及单晶碳化硅衬底和单晶硅碳化硅衬底
机译: 硅单晶的表面处理方法和硅单晶薄膜的制造方法