包含部分离散电荷存储元件的三维反向平面NAND存储器装置和其制造方法

摘要

一种三维存储器装置包含绝缘条带与导电条带的交替堆叠，其位于衬底上方且由线型沟槽彼此横向地间隔开。所述线型沟槽沿着第一水平方向横向地延伸，且沿着第二水平方向间隔开。每一线型沟槽填充结构包含横向起伏的电介质轨道，其沿着所述第二水平方向具有横向起伏的宽度且沿着所述第一水平方向延伸；和一行存储器堆叠结构，其位于所述横向起伏的电介质轨道的颈部区处。每一存储器堆叠结构包含竖直半导体通道、接触所述竖直半导体通道的外侧壁的阻挡电介质，和电荷存储层，所述电荷存储层接触所述阻挡电介质的外侧壁，竖直地连续延伸穿过所述导电条带的每一层级，且具有竖直起伏的横向厚度。