针对锗NMOS晶体管的用以减少源极/漏极扩散的经掺杂的STI

摘要

公开了集成电路晶体管结构，其在制造期间降低诸如磷或砷之类的n型掺杂剂从锗n‑MOS器件的源极区域和漏极区域到相邻的浅沟槽隔离（STI）区域中的扩散。该n‑MOS晶体管器件可以包括按原子百分比至少75％的锗。在示例实施例中，该STI在STI的与源极和/或漏极区域相邻的区域中掺杂有n型杂质，以提供掺杂剂扩散降低。在一些实施例中，该STI区域掺杂有包括浓度按原子百分比在1%至10%之间的磷的n型杂质。在一些实施例中，经掺杂的STI区域的厚度可以范围在10至100纳米之间。