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一种铁电场效应晶体管、三维存储器及其制作方法

摘要

本申请提供一种铁电场效应晶体管、三维存储器及其制作方法,所述铁电场效应管和三维铁电存储器的结构,均包括铁电材料,采用铁电材料的极化状态表示数据。由于极化翻转具有极高的速度,可以在几个纳秒内完成,因此,本发明提供的场效应晶体管或三维存储器能够实现很快的速度;同时由于极化翻转所需的电压很低,不需要电荷泵等外围电路的辅助,因此,铁电场效应管和三维铁电存储器具有更低的能耗。另外,与现有技术中的闪存和DRAM等存储器基于电荷进行存储的原理不同,本发明提供的三维存储器依靠极化进行存储,具有更强的抗辐射能力,并且能够提高铁电存储器的存储密度,解决当前三维存储器的操作电压高以及反复擦写能力低的问题。

著录项

  • 公开/公告号CN111312820A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2020-06-19

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 中国科学院微电子研究所;

    申请/专利号CN201911202324.2

  • 申请日2019-11-29

  • 分类号

  • 代理机构北京集佳知识产权代理有限公司;

  • 代理人温可睿

  • 地址 100029 北京市朝阳区北土城西路3号中国科学院微电子研究所

  • 入库时间 2023-12-17 10:20:40

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2020-07-14

    实质审查的生效 IPC(主分类):H01L29/78 申请日:20191129

    实质审查的生效

  • 2020-06-19

    公开

    公开

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