浅沟槽隔离工艺及浅沟槽隔离结构

摘要

本发明公开了一种浅沟槽隔离工艺及浅沟槽隔离结构，该浅沟槽隔离工艺包括：在硅衬底表面依次淀积第一厚度的厚栅氧层和第二厚度的氮化硅层；对厚栅氧层、氮化硅层和硅衬底进行处理以形成凹槽；在凹槽中填充浅沟槽隔离介质，直至浅沟槽隔离介质覆盖第二厚度的氮化硅层之上达到第三厚度；对浅沟槽隔离介质进行化学机械抛光处理，直到凹槽中的浅沟槽隔离介质与凹槽两侧的厚栅氧层的高度一致；最后剥离氮化硅层，形成浅沟槽隔离结构，浅沟槽隔离结构中的厚栅氧层各个位置的厚度基本为第一厚度。本发明能使得浅沟槽隔离结构中的厚栅氧层各个位置的厚度基本为第一厚度，从而提高厚栅氧的栅氧完整性特性。