一种常压烧结制备致密(HfZrTaNbTi)C高熵陶瓷烧结体的方法

摘要

本发明涉及一种常压烧结制备致密(HfZrTaNbTi)C高熵陶瓷烧结体的方法，包括：（1）选HfC粉体、ZrC粉体、TaC粉体、NbC粉体和TiC粉体作为原料，再加入粘结剂和溶剂混合，得到浆料；（2）将所得浆料干燥过筛或喷雾造粒，得到混合粉体；（3）将所得混合粉体经压制成型和真空脱粘后置于惰性气氛中，在2000～2250℃下常压烧结，得到所述高熵陶瓷烧结体。