公开/公告号CN111354656A
专利类型发明专利
公开/公告日2020-06-30
原文格式PDF
申请/专利权人 芯恩(青岛)集成电路有限公司;
申请/专利号CN201811572489.4
发明设计人 三重野文健;
申请日2018-12-21
分类号
代理机构上海光华专利事务所(普通合伙);
代理人罗泳文
地址 266000 山东省青岛市黄岛区太白山路19号德国企业南区401
入库时间 2023-12-17 09:59:34
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2020-07-24
实质审查的生效 IPC(主分类):H01L21/67 申请日:20181221
实质审查的生效
2020-06-30
公开
公开
机译: 半导体栅极结构处理涉及将半导体栅极的垫氧化层增厚到指定厚度,以在半导体栅极结构上提供牺牲氧化层
机译: 在半导体制造设备中处理栅极部分的设备,该栅极部分从连接到引线框架的半导体封装中去除栅极对应部分,以及在与该半导体封装相关联的引线部分上沉积的树脂毛刺
机译: 堆叠式栅极结构,包括该堆叠式栅极结构的金属氧化物半导体及其制造方法