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半导体湿式处理设备及离子液体栅极结构的制作方法

摘要

本发明提供一种半导体湿式处理设备及离子液体栅极结构的制作方法,所述湿式处理设备包括:腔室;晶圆载盘,用以承载并旋转晶圆;处理液输入管路,用以提供处湿式处理所需的处理液;离子液体输入管路,用以提供制作离子液体栅极结构所需的离子液体;气液传输装置,连通于所述腔室的下方,用以所述腔室内的气液排放以及对所述腔室进行抽气以降低所述腔室的气压。本发明的半导体湿式处理设备,通过对输入管道的配置,以及采用气液传输装置对腔室进行减压处理,大大增强离子液体对厚度较小空腔的填充能力,适用于离子液体栅及结构尤其是鳍式栅极结构以及环绕式栅极结构的制作,可有效提高工艺稳定性以及器件的性能。

著录项

  • 公开/公告号CN111354656A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2020-06-30

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 芯恩(青岛)集成电路有限公司;

    申请/专利号CN201811572489.4

  • 发明设计人 三重野文健;

    申请日2018-12-21

  • 分类号

  • 代理机构上海光华专利事务所(普通合伙);

  • 代理人罗泳文

  • 地址 266000 山东省青岛市黄岛区太白山路19号德国企业南区401

  • 入库时间 2023-12-17 09:59:34

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2020-07-24

    实质审查的生效 IPC(主分类):H01L21/67 申请日:20181221

    实质审查的生效

  • 2020-06-30

    公开

    公开

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