LED高压芯片及其制备方法、隔离槽的制作方法

摘要

本发明涉及一种LED高压芯片及其制备方法、隔离槽的制作方法。所述隔离槽的制作方法包括：提供包括衬底以及设置于衬底上的发光半导体层的LED芯片主体；在发光半导体层上形成设有贯穿的第一开口的第一阻挡层和设有贯穿的第二开口的第二阻挡层，第一开口的侧边与衬底之间的倾斜角小于第二开口的侧边与衬底之间的倾斜角，且第一开口和第二开口并列设置；刻蚀发光半导体层，形成隔离槽，隔离槽包括第一槽体和第二槽体，第一槽体的侧壁与衬底之间的倾斜角小于第二槽体的侧壁与衬底之间的倾斜角。本发明通过一次刻蚀工艺即可在隔离槽的不同位置实现不同的角度需求，可以节约30％左右的成本。同时，可使LED高压芯片的发光面积增大10％～30％，亮度提升5％左右。