一种半导体器件光化学刻蚀方法及装置

摘要

本发明涉及一种半导体器件光化学刻蚀方法，包括：S1、在具有掩膜层的半导体结构的待刻蚀表面进行化学刻蚀第一预设时间段，得到预刻蚀的半导体结构；S2、使用光照使预刻蚀的半导体结构的待刻蚀区域产生电场，以对所述待刻蚀区域进行深刻蚀，得到预设深宽比的半导体器件。上述方法通过在深刻蚀前在半导体结构预刻蚀，获得预刻蚀的腐蚀坑后，辅以光照，利用光生载流子的捕获，及光生载流子的分布来控制刻蚀的方向性和提高刻蚀精度，改善了湿法化学刻蚀方向性，可获得较大深宽比的形貌。