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公开/公告号CN111081679A
专利类型发明专利
公开/公告日2020-04-28
原文格式PDF
申请/专利权人 美光科技公司;
申请/专利号CN201911000779.6
发明设计人 B·K·施特雷特;O·R·费伊;仲野英一;
申请日2019-10-21
分类号
代理机构北京律盟知识产权代理有限责任公司;
代理人王龙
地址 美国爱达荷州
入库时间 2023-12-17 09:42:29
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2020-05-22
实质审查的生效 IPC(主分类):H01L23/544 申请日:20191021
实质审查的生效
2020-04-28
公开
机译: 具有硅电压调节器和阵列电容器组合的陶瓷中介层,用于集成电路封装
机译: 半导体芯片壳体具有布线平面,该布线平面具有至少一个电阻器和/或电容器,该电阻器和/或电容器是具有一层或多层的布线结构的片上芯片球栅阵列的形式
机译: 能够增加多层布线的集成度的硅中介层及其制造方法
机译:一种新型的中介层的制造和电学特性,该中介层具有用于2.5D / 3D应用的具有超低电阻率的直通硅通孔(TSV)的聚合物衬里和硅柱
机译:用于芯片到芯片的光学布线的高密度无热硅光学中介层
机译:硅中介层BGA封装,具有铜填充硅通孔和通过电镀制成的多层再分布层
机译:具有TSV(直通硅通孔)和精细多层布线的硅中介层
机译:具有分层互连结构的现场可编程门阵列的可布线性预测。
机译:基于大孔硅的结构低频介电弛豫具有中间型大孔硅层
机译:基于FpGa的硅神经元网络,具有可选择的兴奋性硅神经元
机译:形成具有可选择光学特性的硅结构的方法