一种高浪涌能力低残压TVS防浪涌器件及其制造方法

摘要

本发明涉及一种高浪涌能力低残压TVS防浪涌器件及其制造方法，属微电子技术领域，一种高浪涌能力低残压TVS防浪涌器件，包括P型或N型衬底硅片，其中，在P型或N型衬底的双面通过PN结主结制备后减薄工艺和二次同型掺杂扩散结形成纵向TVS防浪涌器件，所述的PN结的结深为15‑35μm，在掺杂面的表面有接触金属层，在衬底侧面覆盖有钝化层。本发明还提供了上述器件的制备方法。本发明对于对长波长浪涌能力有要求的器件，如：IEC61000 10/1000μs浪涌波形、ISO7637‑2 5A/5B波形提升效果明显。