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一种提高边抛大直径硅片表面洁净度的清洗工艺

摘要

本发明提供一种提高边抛大直径硅片表面洁净度的清洗工艺,包括以下步骤,对硅片进行碱溶液清洗;对硅片进行第一纯水清洗,去除硅片表面的碱溶液;对硅片进行酸溶液清洗;对硅片进行第二纯水清洗,去除硅片表面的酸溶液;对硅片进行第三纯水清洗;对硅片进行慢提拉、烘干。本发明的有益效果是用于对大直径硅片边抛后清洗,采用碱洗和酸洗,去除硅片表面的颗粒杂质和金属离子,保证硅片表面的清洁度,降低清洗成本。

著录项

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2020-06-23

    实质审查的生效 IPC(主分类):H01L21/02 申请日:20200113

    实质审查的生效

  • 2020-05-29

    公开

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