一种氟化钙单晶的生长方法及所用装置

摘要

本发明提供一种氟化钙单晶的生长方法及所用装置，属于新材料制备技术领域，包括以氟化钙为原料，采用坩埚提拉法生长得到氟化钙单晶，氟化钙单晶在生长过程中由设置在坩埚侧面的侧加热器和设置在坩埚底部的底加热器共同调节温度，控制籽晶熔接及晶体生长过程中的升温或降温速率变化。本发明的单晶生长装置能精确控制籽晶附近温度从而控制籽晶熔接，氟化钙单晶生长方法的全部过程无铅、锌等除氧剂，从而确保了制备得到的氟化钙单晶无紫外区吸收，且单晶透过率高、应力双折射低，和单加热器生长的方式相比，能有效提高氟化钙单晶成品率及晶体质量，使晶体更适用于作为准分子激光窗口材料。