一种低电压SRAM时间参数的片上测量电路及测量方法

摘要

本发明提供一种低电压SRAM时间参数的片上测量电路及测量方法，包括测量控制模块与时间测量模块，所述时间测量模块与测量控制模块连接，通过测量控制模块控制时间测量模块，所述测量控制模块基于存储器内建自测试模块，测量控制模块包含BIST控制逻辑、BIST测试向量生成逻辑以及时间测量控制模块，所述时间测量模块包含延迟单元，比较器和累加器。通过增添测量控制模块与时间测量模块，对大规模芯片内大批量SRAM测试，在进行MBIST测试的同时，也实现了对SRAM各个存储单元访问时间的测量，针对一个或者多个SRAM同时进行访问时间测量，实现“全速”自测量，测量结果准确，降低对ATE的依赖，有效降低测试成本。