首页> 中国专利> 2-取代芴化合物、含该化合物的空穴传输材料及空穴传输层中含该化合物的有机电子器件

2-取代芴化合物、含该化合物的空穴传输材料及空穴传输层中含该化合物的有机电子器件

摘要

本发明将可用作空穴的注入或传输性能、电子阻挡性能、光稳定性、电气稳定性和热稳定性良好的空穴传输材料的化合物的提供以及提供含有上述化合物的空穴传输材料及包括具备含上述化合物的空穴传输层的有机EL元件或有机光电转换元件的有机电子器件、特别是包括长寿命且发光效率高的有机EL元件的有机电子器件作为课题。一种以通式(1‑1)表示的化合物;式中,R1~R6和Ara~Arc如说明书中所定义。

著录项

  • 公开/公告号CN111253264A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2020-06-09

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 关东化学株式会社;

    申请/专利号CN201911216209.0

  • 申请日2019-12-02

  • 分类号

  • 代理机构上海一平知识产权代理有限公司;

  • 代理人高一平

  • 地址 日本东京都

  • 入库时间 2023-12-17 08:51:25

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2020-06-09

    公开

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