首页> 中国专利> 含碘的热固性含硅材料、含该材料的极紫外线光刻用抗蚀剂下层膜形成用组合物、及图案形成方法

含碘的热固性含硅材料、含该材料的极紫外线光刻用抗蚀剂下层膜形成用组合物、及图案形成方法

页面导航

摘要
著录项
法律信息
相似文献

摘要

本发明涉及含碘的热固性含硅材料、含该材料的极紫外线光刻用抗蚀剂下层膜形成用组合物、及图案形成方法。本发明提供用于形成能够保持着上层抗蚀剂的LWR而贡献于感度提升的抗蚀剂下层膜的热固性含硅材料、含有该材料的含硅的抗蚀剂下层膜形成用组合物、及使用该组合物的图案形成方法。一种热固性含硅材料，其特征在于含有下列通式(Sx‑1)所示的重复单元、下列通式(Sx‑2)所示的重复单元、及下列通式(Sx‑3)所示的部分结构中的任一个以上。[化学式1]

著录项

公开/公告号CN111208710A

专利类型发明专利
公开/公告日2020-05-29

原文格式PDF
申请/专利权人信越化学工业株式会社;
展开▼

申请/专利号CN201911139299.8
发明设计人荻原勤;渡边司;美谷岛祐介;金山昌广;三井亮;
展开▼

申请日2019-11-20
分类号
代理机构北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙);
代理人刘新宇
地址日本东京都
入库时间 2023-12-17 08:47:12

法律信息

法律状态公告日

法律状态信息

法律状态
2020-06-23

实质审查的生效 IPC(主分类):G03F7/075 申请日:20191120

实质审查的生效
2020-05-29

公开

公开

相似文献

专利
中文文献
外文文献

1. 含碘的热固性含硅材料、含该材料的极紫外线光刻用抗蚀剂下层膜形成用组合物、及图案形成方法 [P] . 中国专利： CN111208710A . 2020-05-29
2. 化合物及其制造方法、组合物、光学部件形成用组合物、光刻用膜形成组合物、抗蚀剂组合物、抗蚀图案形成方法、辐射敏感组合物、非晶膜制造方法、光刻用下层膜形成材料、光刻用下层膜形成用组合物、光刻用下层膜制造方法、抗蚀图案形成方法、电路图案形成方法、纯化方法 [P] . 中国专利： CN108349860A . 2018-07-31
3. Film forming material, film forming composition for lithography, optical component forming material, resist composition, resist pattern forming method, permanent film for resist, radiation-sensitive composition, method for producing amorphous film, underlayer film forming material for lithography, lower layer for lithography Film forming composition, manufacturing method of underlayer film for lithography and circuit pattern forming method [P] . 韩国专利： KR20200022391A . 2020-03-03

机译：成膜材料，用于光刻的成膜组合物，光学部件形成材料，抗蚀剂组合物，抗蚀剂图案形成方法，用于抗蚀剂的永久膜，辐射敏感性组合物，非晶膜的制造方法，用于光刻的下层膜形成材料，用于光刻的下层成膜组合物，用于光刻的下层膜的制造方法和电路图案形成方法
4. Compound, method for producing the same, composition, optical component forming composition, film forming composition for lithography, resist composition, resist pattern forming method, radiation sensitive composition, method for producing amorphous film, lower layer for lithography Film forming material, composition for forming underlayer film for lithography, method for producing underlayer film for lithography, resist pattern forming method, circuit pattern forming method, and purification method [P] . 日本专利： JPWO2017038979A1 . 2018-08-16

机译：化合物，其制造方法，组成，光学部件形成用组合物，光刻用膜形成用组合物，抗蚀剂组合物，抗蚀剂图案形成方法，放射线敏感性组合物，非晶膜的制造方法，光刻用下层，成膜材料，形成用组合物用于光刻的底层膜，用于光刻的底层膜的制造方法，抗蚀剂图案形成方法，电路图案形成方法和纯化方法
5. Compound, resin, resist composition or radiation sensitive composition, resist pattern forming method, amorphous film manufacturing method, lithography lower layer film forming material, lithography lower layer film forming composition, circuit pattern forming method, and purification Method [P] . 日本专利： JPWO2017043561A1 . 2018-08-09

机译：化合物，树脂，抗蚀剂组合物或放射线敏感性组合物，抗蚀剂图案形成方法，非晶膜制造方法，光刻下层膜形成材料，光刻下层膜形成组合物，电路图案形成方法和纯化方法