一种长波长垂直腔面发射半导体激光器及其制备方法

摘要

本发明公开了一种长波长垂直腔面发射半导体激光器，从下至上依次包括DBR反射镜、下电流注入层、发光区、上电流注入层和反射光栅，其中DBR反射镜与反射光栅会相对设置，而反射光栅的反射光波长与DBR反射镜的反射光波长相同，且反射光栅的反射率小于DBR反射镜的反射率。此时，发光区位于反射光栅以及DBR反射镜之间区域所产生的光线会在反射光栅与DBR反射镜之间振荡从而产生激光，并且光线会从反射光栅射出半导体激光器，上述反射光栅的位置即半导体激光器中出光孔的位置。由于反射光栅的结构简单且制备工艺简单，可以降低激光器的制备成本。本发明还提供了一种制备方法，同样具有上述有益效果。