用于降低氮化镓晶体管中栅极电压振荡的可变电阻

摘要

本发明题为“用于降低氮化镓晶体管中栅极电压振荡的可变电阻”。本发明提供了一种半导体晶体管器件，该半导体晶体管器件包括GaN晶体管，该GaN晶体管包括漏极、栅极和源极，GaN晶体管具有驱动电压，该驱动电压施加在栅极和源极两端，并且被配置为在与GaN晶体管的导通状态相关联的导通电压和与GaN晶体管的关断状态相关联的关断电压之间切换。半导体晶体管器件还包括可变栅极‑源极电阻器，该可变栅极‑源极电阻器连接在栅极和源极之间并具有可变电阻，该可变电阻响应于驱动电压当在GaN晶体管的导通状态和关断状态之间切换时的变化而改变。