一种铱-192后装源的制备方法以及铱-192后装源

摘要

本发明涉及一种铱‑192后装源的制备方法以及铱‑192后装源，所述方法为：选用纯度大于99.9%的铱丝作为靶材料，并将其制成辐照靶。使用反应堆进行照射成铱‑192原料，为使照射后的铱原料中的194Ir核素衰变完全，需适当时间的存放。然后进行切靶、测量、分装、焊接、检验等工艺。采用上述工艺制备的铱‑192后装源焊点成半圆状，密封性好，无泄漏，表面无污染。活度平行性好，最大偏差在±5%以内。