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基于CMOS图像传感的光栅波导微流体芯片

摘要

本发明提供一种基于CMOS图像传感的光栅波导微流体芯片,包括:光栅波导和微流道,光栅波导包括出射光栅,出射光栅位于微流道下方用以将光沿垂直方向向上导入微流道内,还包括:依次由下而上设置的CMOS图像传感层、下包层、波导层、保护层和上包层;所述波导层是在25‑150℃沉积温度下形成的氮化硅材料,波导层用以形成光栅波导;保护层是二氧化硅材料,用以覆盖光栅波导并保护出射光栅;微流道贯穿所述上包层以暴露出保护层。具有有益效果:在CMOS图像传感层和高分子聚合材料上低温沉积光学性能可调的氮化硅光波导,不破坏CMOS图像传感层,减少了实验中对收集光路调整等准备工作,提高了实验效率;提高了检测系统的便携性,大大增加了系统的应用场景。

著录项

  • 公开/公告号CN111135890A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2020-05-12

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 上海新微技术研发中心有限公司;

    申请/专利号CN202010054066.4

  • 发明设计人 陈昌;刘博;王靖;

    申请日2020-01-17

  • 分类号

  • 代理机构苏州国卓知识产权代理有限公司;

  • 代理人黄少波

  • 地址 201800 上海市嘉定区城北路235号1号楼

  • 入库时间 2023-12-17 08:04:32

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2020-06-05

    实质审查的生效 IPC(主分类):B01L3/00 申请日:20200117

    实质审查的生效

  • 2020-05-12

    公开

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