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高电导率硅氧负极材料及其应用

摘要

本发明提供了一种高电导率硅氧负极材料,包括硅基内核和在所述硅基内核表面形成的包覆层,所述包覆层包括碳和快离子导体,所述快离子导体在包覆层形成完整离子传输通道,直接连接所述硅基内核并延伸至所述包覆层表面。快离子导体在包覆层形成完整的离子通道,可使所述硅氧负极材料兼顾电子电导率和离子电导率,同时稳定SEI膜,有效提高材料容量和电化学性能。

著录项

  • 公开/公告号CN111048756A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2020-04-21

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 兰溪致德新能源材料有限公司;

    申请/专利号CN201911230649.1

  • 发明设计人 陈青华;房冰;胡盼;刘江平;

    申请日2019-12-04

  • 分类号

  • 代理机构北京久诚知识产权代理事务所(特殊普通合伙);

  • 代理人余罡

  • 地址 321100 浙江省金华市兰溪市经济开发区(兰江街道城郊西路17号)

  • 入库时间 2023-12-17 08:00:12

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2020-05-15

    实质审查的生效 IPC(主分类):H01M4/36 申请日:20191204

    实质审查的生效

  • 2020-04-21

    公开

    公开

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