BCE IGZO TFT器件及其制作方法

摘要

一种BCE IGZO TFT器件及其制作方法，其特征在于，包含提供一基板，沉积一第一金属层于所述基板上，所述第一金属层透过图案化工艺，形成一栅极和一第一电极层，沉积一栅极绝缘层于所述基板、所述栅极和所述第一电极层上，所述栅极绝缘层透过蚀刻工艺，去除所述第一电极层表面上部份的所述栅极绝缘层，沉积一有源层于所述第一电极层和所述栅极绝缘层上，所述有源层和所述第一电极层直接接触，沉积一第二金属层于所述有源层上，所述第二金属层透过图案化工艺，形成一源极、一漏极和一第二电极层。