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一种热电应力下的Flash存储器擦写性能评价方法

摘要

本发明提供一种热电应力下的Flash存储器擦写性能评价方法,步骤如下:一:Flash存储器初筛,对器件样品做一次全片擦写读测试,剔除已失效的器件;二:选择擦写测试算法,选择试验温度分组,模拟不同强度的环境应力;三:进行擦写循环试验,记录各温度组的读出数据错误数量,器件全部失效或到达预设试验时间试验停止;四:筛选试验数据,计算各温度组的平均无故障工作时间θ;五:计算环境温度与该温度平均无故障工作时间函数关系;六:求出常温下平均无故障工作时间;七:根据擦写循环试验中,单次循环所用时间和擦写次数,计算常温下耐擦写次数;八:与该型号器件理论耐擦写次数比较,评价该批次器件擦写性能是否满足要求;通过以上步骤,可以利用擦写次数评价Flash存储器的擦写性能,减少试验时间,为Flash存储器测试与评价提供充分的可靠性依据,具有实际推广应用价值。

著录项

  • 公开/公告号CN111009281A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2020-04-14

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 北京航空航天大学;

    申请/专利号CN201911239186.5

  • 发明设计人 黄姣英;张雨琪;高成;鹿靖;

    申请日2019-12-06

  • 分类号

  • 代理机构

  • 代理人

  • 地址 100191 北京市海淀区学院路37号

  • 入库时间 2023-12-17 07:38:45

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2020-05-08

    实质审查的生效 IPC(主分类):G11C29/56 申请日:20191206

    实质审查的生效

  • 2020-04-14

    公开

    公开

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