有机无机杂化纳米薄膜阻变存储器的制备方法

摘要

本发明公开了一种有机无机杂化纳米薄膜阻变存储器的制备方法，包括如下步骤：首先利用氯化钛与盐酸、邻菲罗啉、氢氧化钠、丙烯酸反应，制备丙烯酸钛单体；其次，采用甲基丙烯酸甲酯为共聚单体，过硫酸钾/偶氮二异丁腈作为引发剂，吡啶硫酮作为催化剂，制备钛离子与MMA杂化共聚物；最后，利用旋涂法把杂化共聚物涂覆在导电玻璃表面，获得杂化纳米薄膜，随后低温退火，然后在薄膜表面沉积二氧化钛和金属电极。通过本发明获得的阻变存储器，其漏电流小于10pA，其开关电阻比大于10