具有处于存储器串中的口袋结构的三维存储器件及其形成方法

摘要

公开了具有处于存储器串中的口袋结构的3D存储器件及其形成方法的实施例。在示例中，一种3D存储器件包括衬底、处于衬底上的选择性外延层、处于选择性外延层上的包括交替的导电层和电介质层的存储器堆叠层、以及包括在存储器堆叠层中垂直延伸的沟道结构和在选择性外延层中垂直延伸的口袋结构的存储器串。所述存储器串包括在所述沟道结构中垂直延伸并且在所述口袋结构中垂直以及横向延伸并接触所述选择性外延层的半导体沟道。