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半导体裸片的缺陷检测结构、半导体装置和缺陷检测方法

摘要

提供了一种半导体裸片的缺陷检测结构、半导体装置和缺陷检测方法。所述半导体装置包括半导体裸片、缺陷检测结构和输入输出电路。半导体裸片包括中心区域和围绕中心区域的外围区域。外围区域包括左下角区域、左上角区域、右上角区域和右下角区域。缺陷检测结构形成在外围区域中。缺陷检测结构包括位于左下角区域中的第一导电回路、位于右下角区域中的第二导电回路、位于左下角区域和左上角区域中的第三导电回路以及位于右下角区域和右上角区域中的第四导电回路。输入输出电路电连接到第一导电回路、第二导电回路、第三导电回路和第四导电回路中的端节点。

著录项

  • 公开/公告号CN110911386A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2020-03-24

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 三星电子株式会社;

    申请/专利号CN201910402840.3

  • 申请日2019-05-15

  • 分类号H01L23/544(20060101);H01L21/66(20060101);

  • 代理机构11286 北京铭硕知识产权代理有限公司;

  • 代理人刘美华;刘灿强

  • 地址 韩国京畿道水原市

  • 入库时间 2023-12-17 07:34:32

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2020-03-24

    公开

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