特徴空間の再帰的分割に基づく半導体欠陥検査手法

摘要

半導体ウェーハパターンを対象とした欠陥検査では，ウェーハ上に同一となるように形成された繰返しパターンの画像を比較し，不一致を欠陥として検出する．検査対象は薄膜多層パターンであり，比較画像間において，製造プロセスに起因する明るさの違いが生じている．我々は，正常部の不一致を許容するため，特徴空間の分割に基づく実物同士の比較手法を提案する．この手法は，回帰木と同様な手順を有する.ここでは，パターンやノイズの特性を表わす特徴を逐次選択し，特徴空間を分割することを繰り返して画像を層別に分解し，各領域において作成した散布図において統計的はずれ値を欠陥として検出することにより，正常パターンの明るさ変動に埋没した微小欠陥を認識可能とする．