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半导体材料微米/纳米级体缺陷检测理论与实验研究

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摘要

通过对近红外激光散射信号探测和信号分布分析,来检测半导体材料体缺陷是一种很有前途的方法.本文简要介绍了检测的基本原理和理论模型,在此基础上提出了判断缺陷尺度的判据,并通过对一组GaAs样品的实验研究,验证了其可行性.

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来源
《第四届全国微米/纳米技术学术会议》|2000年|152-154|共3页
会议地点上海
作者
尤政; 李颖鹏; 陈非凡; 于世洁;
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作者单位

上海交通大学;

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会议组织
正文语种
原文格式 PDF
中图分类材料;
关键词
半导体体缺陷; 微米/纳米检测; 散射分布;

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