一种掺杂的Ge-Sb相变材料、相变存储器及其制备方法

摘要

本发明提供一种新型的掺杂的Ge‑Sb基相变材料、该材料的相变存储器(PCM)以及该PCM特定的操作方法。其中，掺杂的Ge‑Sb基材料的化学通式为Mx(GeiSbj)100‑x；M为掺杂元素，M为C、N、O、Sn中的至少一种；x代表M的原子个数百分比，0＜x≤30，i、j代表Ge、Sb元素的原子个数百分比，0＜i≤50，i+j＝100；Ge‑Sb基相变材料中的掺杂元素M存在于Ge‑Sb晶界中，阻碍Ge‑Sb基材料结晶使得相变材料成为非均一相结构。再通过掺杂、电脉冲、激光等方式控制体系内分相程度，来实现所述相变材料在不同阻态之间的转变，可利用局域加热效应有效改善PCM的加热效率和耗散程度，极大的减小RESET功耗，用于解决现有技术中相变材料读写过程中密度变化大，操作能耗高等问题。