基于AlN势垒层的增强型双向阻断功率器件及制作方法

摘要

本发明公开了一种基于AlN势垒层的增强型双向阻断功率器件及制作方法，主要解决现有技术增强型双向阻断功率器件存在的栅电极控制能力差，热稳定性差和工艺复杂的问题。其自下而上包括衬底(1)、成核层(2)、缓冲层(3)、势垒层(4)和帽层(5)，帽层两侧上方设有源极(6)和漏极(7)，帽层中间的上部设有栅极(8)，栅极分别与源极和漏极之间为钝化层(9)。本发明通过在缓冲层上部淀积1～10nm的AlN薄势垒层，使其形成了AlN/GaN结构的异质结，降低了功耗，增加了热稳定性，改善了栅极对电流的控制，并减少了器件工艺的复杂性，可作为交流到交流AC‑AC变换电路和电力电子的功率开关电路。