III族氮化物光电子器件的制作方法

摘要

本发明公开了一种III族氮化物光电子器件的制作方法。所述制作方法包括在衬底上生长形成光电子器件结构的步骤，光电子器件结构包括N型层、有源区发光层及P型层；以及还包括：在所述光电子器件结构上设置掩模，并利用所述掩模至少对所述N型层、有源区发光层及P型层中的任一者或多种进行选择性氧化，从而调控所述光电子器件结构的出光区域的面积和/或形状。本发明实施例提供的III族氮化物光电子器件的制作方法，采用氧化工艺控制器件出光面积，氧化工艺具有宽度、深度可控等特点，低横向效应避免了对芯片侧壁造成的刻蚀损伤，并且可以把器件有源区出口面积控在微米量级，还可以控制出光孔的形状，对有源区无损伤，且能够提高芯片的峰值发光效率。