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形成于硅晶圆的表面的氧化膜的去除方法

摘要

包括:准备形成了氧化膜的硅晶圆的步骤;在气相蚀刻装置的反应容器内配置与上述氧化膜接触的部分由耐酸性树脂层构成的圆板状的晶圆载置用台的步骤;将上述硅晶圆以晶圆中心与载置用台的中心轴一致的方式载置于载置用台上的步骤;和通过向反应容器内流通含氟化氢的气体而从倒角面与晶圆下表面的界面起朝向晶圆的内侧去除氧化膜直至期望的间隔a的步骤;通过变更载置用台的台直径来进行期望的间隔a的调整。

著录项

  • 公开/公告号CN110942986A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2020-03-31

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 胜高股份有限公司;

    申请/专利号CN201811106595.3

  • 申请日2018-09-21

  • 分类号

  • 代理机构中国专利代理(香港)有限公司;

  • 代理人鲁炜

  • 地址 日本东京都

  • 入库时间 2023-12-17 07:17:23

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2020-04-24

    实质审查的生效 IPC(主分类):H01L21/311 申请日:20180921

    实质审查的生效

  • 2020-03-31

    公开

    公开

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